硅谷LED芯片公司Verticle（韓國(guó)制造），近日研發(fā)一款耐強(qiáng)電流的六邊形銅基紫外線LED。該芯片在銅基和氮化鎵基紫外線LED之間采用化學(xué)芯片分離技術(shù)。盡管紫外線LED有諸多優(yōu)點(diǎn)，但由于其內(nèi)量子效率較低，紫外線LED光學(xué)功率始終不及藍(lán)光LED。

提高紫外線外延晶片內(nèi)量子效率并非短期內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)的，不過(guò)，通過(guò)提高輸入紫外線LED驅(qū)動(dòng)電流、控制產(chǎn)熱，同樣可以提高其總功率。Verticle表示紫外線LED的熱下垂問(wèn)題比藍(lán)光LED更為突出，故降低結(jié)溫為公司現(xiàn)在主要面臨的挑戰(zhàn)。

為了提高注入電流和散熱水平，Verticle紫外線LED芯片采用銅基底。如圖，銅基垂直芯片的熱阻(Rth)為2K/W，低于氮化鎵/硅垂直芯片。所以，氮化鎵/銅結(jié)溫(Tj)低于氮化鎵/硅。當(dāng)注入電流為350mA時(shí)，兩芯片間結(jié)溫差為2攝氏度，然而，注入電流為1A時(shí)，結(jié)溫差更大。
公司通過(guò)測(cè)試指出，采用相同外延片的情況下，垂直銅基紫外線LED芯片比水平銅基紫外線LED芯片輻射通量高。而且，銅基紫外線LED芯片的耐受驅(qū)動(dòng)電流高于其他材質(zhì)垂直芯片。例如：注入電流1A時(shí)，氮化鎵/銅紫外線LED芯片不飽和，而氮化鎵/藍(lán)寶石芯片在注入電流超過(guò)500mA后開始飽和。這表明氮化鎵/銅芯片比其他材質(zhì)基底氮化鎵芯片的散熱能力更強(qiáng)，為需要高注入電流和良好散熱性能的應(yīng)用提供了獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

Verticle公司六邊形紫外線LED芯片（尺寸45mil)，其392納米波長(zhǎng)時(shí)輻射通量測(cè)量值分別為：350mA注入電流時(shí)416mW、700mA注入電流時(shí)787mW、1A注入電流時(shí)1025mW。此外，公司還指出，六邊形“蜂巢狀”芯片通過(guò)圓形透鏡封裝，在近圓形光束輪廓的作用下，能夠提供更高的光效率。

(關(guān)鍵字：Verticle 銅基紫外線 LED芯片)