事件:7月3日,公司正式公告定增上市情況,本次定增面向20家機(jī)構(gòu)共配售80,229,335股,募資近82億元。

大基金二期獲配25億,占比30.46%。公司本次定增最終確定20家配售機(jī)構(gòu),共發(fā)行股數(shù)80,229,335股,發(fā)行價(jià)格102.29元/股,募集資金近82億元,其中大基金二期獲配24,440,316股,占比30.46%。定增注資將進(jìn)一步助力公司產(chǎn)能擴(kuò)充、產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)、以及產(chǎn)品品類擴(kuò)充,賦能公司集成電路設(shè)備、非半導(dǎo)體設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備三維生長(zhǎng)戰(zhàn)略。

31.7億元投資臨港、南昌基地,用于產(chǎn)能擴(kuò)充及品類升級(jí)。臨港基地承擔(dān)現(xiàn)有產(chǎn)品改進(jìn)升級(jí)、新產(chǎn)品開發(fā)生產(chǎn)及產(chǎn)能擴(kuò)充任務(wù),預(yù)計(jì)2022年12月完工;南昌基地承擔(dān)較為成熟產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)及部分產(chǎn)品的研發(fā)升級(jí)工作,預(yù)計(jì)2022年4月完工。項(xiàng)目擬擴(kuò)充和升級(jí)的產(chǎn)品類別為等離子體刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備、熱化學(xué)CVD設(shè)備等新設(shè)備、環(huán)境保護(hù)設(shè)備,相應(yīng)產(chǎn)能規(guī)劃分別為630腔/年、120腔/年、220腔/年、180腔/年。

37.5億元投資臨港總部和研發(fā)中心,聚焦新品研發(fā)。臨港總部和研發(fā)中心預(yù)計(jì)2023年6月完工。研發(fā)規(guī)劃上,CCP方面,將聚焦128層及以上3D NAND極高深寬比、14nm及以下邏輯器件的大馬士革刻蝕產(chǎn)品;ICP方面,聚焦下一代單反應(yīng)臺(tái)Nanova+、雙反應(yīng)臺(tái)Twin-Star+、及ALE原子層刻蝕設(shè)備的開發(fā)與應(yīng)用;MOCVD方面,將聚焦碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備;熱化學(xué)CVD方面,將聚焦HPCVD、導(dǎo)體薄膜LPCVD、ALD、EPI等。

30.8億元科技儲(chǔ)備資金,助力公司三維生長(zhǎng)�？萍純�(chǔ)備資金將用于新產(chǎn)品協(xié)作開發(fā)及對(duì)外投資并購(gòu)。協(xié)作開發(fā)將聚焦紅黃光MOCVD、OLED生產(chǎn)設(shè)備、化學(xué)薄膜沉積設(shè)備、光學(xué)檢測(cè)設(shè)備;對(duì)外投資則涉及量測(cè)及過(guò)程控制、化學(xué)拋光、清洗、封測(cè)、OLED生產(chǎn)、三代半導(dǎo)外延生長(zhǎng)、太陽(yáng)能電池PECVD、激光刻蝕等多領(lǐng)域,彰顯公司三維生長(zhǎng)決心。

風(fēng)險(xiǎn)提示:(1)下游擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期;(2)產(chǎn)品研發(fā)不及預(yù)期;(3)行業(yè)景氣度不及預(yù)期。

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的意義:硬科技是要素創(chuàng)新,是科技發(fā)展的底層源動(dòng)力,是一種縱向的探索式創(chuàng)新,從上往下依次劃分為三個(gè)層級(jí),分別是:淺層要素(云、系統(tǒng)軟件、服務(wù)器、芯片設(shè)計(jì))、中層要素(代工、封測(cè)、制造、存儲(chǔ))、深層要素(半導(dǎo)體設(shè)備),半導(dǎo)體設(shè)備是硬科技的底盤,決定了晶圓代工行業(yè)內(nèi)循環(huán)為主、外循環(huán)為輔的實(shí)現(xiàn)水平。

我們將技術(shù)分為四個(gè)層次:根技術(shù)、干技術(shù)、枝技術(shù)、葉技術(shù),其中處于支配地位的就是根技術(shù),而半導(dǎo)體設(shè)備在根技術(shù)中具備支配地位。

我們將科技股分為兩類:

1、科技觀,雙重維度:我們從兩個(gè)維度定義科技股,第一種是基于技術(shù)的要素創(chuàng)新(硬科技),另外一種是基于模式的場(chǎng)景創(chuàng)新(軟科技)�；�于要素創(chuàng)新的公司主要分布在半導(dǎo)體和底層軟件領(lǐng)域,他們突破現(xiàn)有的技術(shù)瓶頸,不斷的拓展要素的技術(shù)邊界,從而實(shí)現(xiàn)技術(shù)的深層次進(jìn)步,我們稱之為硬科技;

基于模式創(chuàng)新的公司主要集中在互聯(lián)網(wǎng)和各類集成商領(lǐng)域,他們基于現(xiàn)有的科技要素,進(jìn)行模式的匹配和組合,并應(yīng)用于各種場(chǎng)景,我們稱之為軟科技。

2、硬科技,要素創(chuàng)新:是科技發(fā)展的底層源動(dòng)力,是一種縱向的探索式創(chuàng)新,從上往下依次劃分為三個(gè)層級(jí),分別是:淺層要素(云、系統(tǒng)軟件、服務(wù)器、芯片設(shè)計(jì))、中層要素(代工、封測(cè)、制造、存儲(chǔ))、深層要素(芯片設(shè)備、材料、IP/EDA)。

而這三層硬科技?xì)w根結(jié)底來(lái)源于數(shù)學(xué)、物理、化學(xué)、材料等基礎(chǔ)科學(xué)。對(duì)于技術(shù)邊界的拓展,這些基礎(chǔ)設(shè)施背后的要素創(chuàng)新,自上而下,層次越深,難度越大,中國(guó)與國(guó)外的差距也越大。

目前,我國(guó)已經(jīng)在部分領(lǐng)域開始有所突破,但是與國(guó)外先進(jìn)水平相比差距仍存。華為目前已提出將在半導(dǎo)體全面布局,從深層要素通過(guò)新工藝、新材料緊密聯(lián)動(dòng),實(shí)現(xiàn)全棧要素創(chuàng)新。國(guó)內(nèi)外硬科技代表公司是半導(dǎo)體設(shè)備(應(yīng)用材料、北方華創(chuàng))。

半導(dǎo)體設(shè)備是中國(guó)實(shí)現(xiàn)科技自強(qiáng)的根本,是實(shí)現(xiàn)外循環(huán)的內(nèi)在條件。

我們認(rèn)為未來(lái)的格局將是:

1、成熟工藝=內(nèi)循環(huán)為主+外循環(huán)為輔

2、先進(jìn)工藝=外循環(huán)為主+內(nèi)循環(huán)為輔

淺層要素,主要以基礎(chǔ)軟件、芯片設(shè)計(jì)為代表,基礎(chǔ)軟件具有傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的特質(zhì)“平臺(tái)+硬件+軟件”。主要包括了承載終端場(chǎng)景的云平臺(tái),數(shù)據(jù)庫(kù)、操作系統(tǒng)、應(yīng)用軟件的軟件群以及服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等硬件設(shè)備。云和芯片設(shè)計(jì)作為連接應(yīng)用場(chǎng)景和中層要素的接口。

中層要素,主要以代工制造、封裝測(cè)試為代表,是淺層要素的載體,也是深層要素的集合。相比較淺層要素追逐摩爾定律,中層要素更需要時(shí)間的積累,制程演進(jìn)推動(dòng)相關(guān)技術(shù)持續(xù)突破,不斷拓展要素的技術(shù)邊界,實(shí)現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步。

深層要素,主要以底層軟件、設(shè)備、材料為代表。深層要素的缺失將會(huì)為中層要素的崩塌埋下隱患,使得淺層要素處于空中樓閣的狀態(tài)。近年來(lái),美國(guó)實(shí)體清單、日韓貿(mào)易爭(zhēng)端都說(shuō)明了要素創(chuàng)新必須實(shí)現(xiàn)深層要素的國(guó)產(chǎn)化才能實(shí)現(xiàn)全棧要素創(chuàng)新。

此輪半導(dǎo)體設(shè)備周期有何不同?

半導(dǎo)體設(shè)備的周期:本輪是朱格拉周期(設(shè)備投資周期)+國(guó)產(chǎn)替代周期+創(chuàng)新周期+庫(kù)存周期,是四個(gè)周期的疊加,與上一輪以泛半導(dǎo)體為主的投資周期不同,這次是以集成電路投資為主線的全新機(jī)遇。

此輪國(guó)產(chǎn)設(shè)備周期背后是兩個(gè)周期的疊加:

1、朱格拉周期也叫設(shè)備投資周期,其背后就是中國(guó)的產(chǎn)業(yè)升級(jí)周期。

2、下游庫(kù)存周期的逆向傳導(dǎo),從創(chuàng)新傳遞到庫(kù)存,然后傳遞到設(shè)備投資。目前這兩個(gè)周期都在啟動(dòng)的早期:

我們先回顧上一輪朱格拉周期(2009～2019),中國(guó)的半導(dǎo)體建設(shè)主要集中在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域,中國(guó)大陸通過(guò)十年密集的順周期+逆周期的投資將面板、光伏、LED、消費(fèi)電子制造、新能源均發(fā)展成全球前列,分別在半導(dǎo)體能源(光伏)、半導(dǎo)體照明(LED)、半導(dǎo)體顯示(面板)培育出了隆基股份、三安光電、京東方三大世界龍頭。

下一輪朱格拉周期(2020～2030),中國(guó)將在集成電路領(lǐng)域進(jìn)行巨額投資,以存儲(chǔ)(DRAM、NAND)、晶圓代工(成熟工藝為主、先進(jìn)工藝為輔)、第三代化合物半導(dǎo)體為主。這就是國(guó)產(chǎn)設(shè)備的黃金紅利期。

與前一輪周期相比,此輪周期有兩個(gè)不一樣:

1、國(guó)產(chǎn)設(shè)備的參與度大幅提升。上一輪周期由于裝備基礎(chǔ)薄弱問(wèn)題,雖然在光伏設(shè)備領(lǐng)域培育出了晶盛機(jī)電和北方華創(chuàng),LED設(shè)備領(lǐng)域的北方華創(chuàng)和中微公司,但是在面板領(lǐng)域,絕大多數(shù)設(shè)備都來(lái)自海外,錯(cuò)失了一輪行業(yè)紅利。僅京東方一家公司在此輪擴(kuò)產(chǎn)周期中就投資超過(guò)2000億元,但其中絕大多數(shù)都是國(guó)外設(shè)備,北方華創(chuàng)作為旗艦龍頭,僅僅供應(yīng)部分,占比極其有限。

2、國(guó)產(chǎn)設(shè)備的投資金額巨大,此輪設(shè)備投資周期的金額將數(shù)倍于上一輪泛半導(dǎo)體,此輪朱格拉周期是以集成電路為主,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開始在低端和成熟工藝匹配,除了光刻環(huán)節(jié),已經(jīng)在PVD、CVD、刻蝕機(jī)、氧化設(shè)備、ALD、清洗設(shè)備、量測(cè)設(shè)備逐漸匹配。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)