2024年11月4日消息，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，甬矽半導(dǎo)體(寧波)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件、疊層結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 118888536 A，申請(qǐng)日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件、疊層結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體封裝方法，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括基板設(shè)置在基板的第一表面上的芯片和第一導(dǎo)電凸起，以及設(shè)置在基板的第二表面上的第二導(dǎo)電凸起，第二表面與第一表面相對(duì)，第一導(dǎo)電凸起包括導(dǎo)電部以及包裹在導(dǎo)電部外表面的保護(hù)部，導(dǎo)電部背離基板的一側(cè)露出于保護(hù)部，導(dǎo)電部的露出部分用于與另一半導(dǎo)體器件的第二導(dǎo)電凸起連接。該半導(dǎo)體器件中的第一導(dǎo)電凸起采用保護(hù)部包裹導(dǎo)電部的結(jié)構(gòu)，當(dāng)半導(dǎo)體器件翹曲較大，第一導(dǎo)電凸起的數(shù)量為多個(gè)時(shí)，多個(gè)第一導(dǎo)電凸起在高度方向上具有很好的一致性，能夠保證半導(dǎo)體器件之間電連接的可靠性。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)