2024年11月4日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，甬矽半導體(寧波)有限公司申請一項名為“半導體器件、疊層結(jié)構(gòu)及半導體封裝方法”的專利，公開號CN 118888536 A，申請日期為2024年7月。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┮环N半導體器件、疊層結(jié)構(gòu)及半導體封裝方法，涉及半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該半導體器件包括基板設(shè)置在基板的第一表面上的芯片和第一導電凸起，以及設(shè)置在基板的第二表面上的第二導電凸起，第二表面與第一表面相對，第一導電凸起包括導電部以及包裹在導電部外表面的保護部，導電部背離基板的一側(cè)露出于保護部，導電部的露出部分用于與另一半導體器件的第二導電凸起連接。該半導體器件中的第一導電凸起采用保護部包裹導電部的結(jié)構(gòu)，當半導體器件翹曲較大，第一導電凸起的數(shù)量為多個時，多個第一導電凸起在高度方向上具有很好的一致性，能夠保證半導體器件之間電連接的可靠性。

(關(guān)鍵字：半導體)