據遼寧盤錦高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)報道，近日，遼寧百思特達半導體科技有限公司氮化鎵項目正式開工建設，這距離該項目10月4日落戶盤錦高新區(qū)還不足一個月時間。

資料顯示，該項目總投資15億元，計劃占地440畝，以氮化鎵半導體材料為主，相關配套輔助產業(yè)為輔，并在盤錦建立新材料閉環(huán)產業(yè)園，達產后預計可實現(xiàn)銷售收入4億元，稅收7000萬元。

氮化鎵半導體材料及氮化鎵芯片研發(fā)、生產項目開始動土，一期總投資3億元，占地125畝，總建筑面積66600平方米，包括綜合研發(fā)實驗室、半導體及芯片生產車間、應用產品生產車間、制氫站車間、倉庫及員工生活配套區(qū)，新上氮化鎵外延生產線、芯片生產線，封裝生產線，應用產品生產線。

根據原計劃，項目計劃于11月前動工建設，2021年6月前竣工投產。投產后兩年內銷售產值每年不少于4億元，年上繳稅金不少于2000萬元。

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