在光通信傳輸過(guò)程中，發(fā)射端將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，調(diào)制后從激光器發(fā)出激光束通過(guò)光纖傳遞，接收端將接收到的光信號(hào)并將其轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，經(jīng)調(diào)制解調(diào)后變?yōu)樾畔ⅰ?/p>

在這之中，實(shí)現(xiàn)電信號(hào)和光信號(hào)之間相互轉(zhuǎn)換的光電芯片是光電技術(shù)產(chǎn)品的核心部件。

隨著數(shù)據(jù)中心建設(shè)、5G網(wǎng)絡(luò)深入布局，國(guó)內(nèi)光模塊企業(yè)全球市場(chǎng)份額的提升，中國(guó)光模塊市場(chǎng)進(jìn)一步增長(zhǎng)。有數(shù)據(jù)表明，2022年中國(guó)光模塊市場(chǎng)規(guī)模有望超30億元，增速有望趕超全球。

受益于光模塊的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用，作為光模塊主要組成部分的光器件，其最具核心技術(shù)的部件——光通訊激光芯片的需求也水漲船高。而這關(guān)鍵的核心技術(shù)恰恰嚴(yán)重依賴海外廠家。

雖然迎來(lái)“國(guó)產(chǎn)替代”之大潮，但芯片廠商如何快速突破中高端產(chǎn)品是一個(gè)艱巨的任務(wù)。

在2021年CIOE中，憑八年的技術(shù)沉淀陜西源杰半導(dǎo)體科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“源杰半導(dǎo)體”或“源杰”)，其第五代移動(dòng)通信前傳25Gbps波分復(fù)用直調(diào)激光器斬獲 “中國(guó)光電博覽獎(jiǎng)“金獎(jiǎng)，一躍成為年度黑馬，受眾人矚目。

源杰半導(dǎo)體成立于2013年，產(chǎn)品涵蓋從2.5G到50G InP激光器芯片，擁有完整獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。產(chǎn)品的技術(shù)先進(jìn)性、市場(chǎng)覆蓋率和性能穩(wěn)定性已經(jīng)位居行業(yè)前列。

目前，國(guó)內(nèi)能稱得上完成了從半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)，晶圓工藝，芯片測(cè)試與封裝全部開發(fā)完畢的企業(yè)，可謂鳳毛麟角，源杰半導(dǎo)體這家高科技企業(yè)躋身其中，始終專注于進(jìn)行InP高速的半導(dǎo)體光芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，歷經(jīng)八年艱辛實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。

據(jù)了解，源杰半導(dǎo)體主要產(chǎn)品是以DFB(分布式反饋激光器)芯片為主，相較于VCSEL面射型激光器芯片而言，DFB激光器具備更高光功率輸出，能應(yīng)用于短距離到長(zhǎng)距離的傳輸，應(yīng)用面較廣。

為了探索源杰取得今天成就的奧秘，近日，維科網(wǎng)光通訊深度對(duì)話陜西源杰半導(dǎo)體首席技術(shù)官潘彥廷博士。

十二問(wèn)源杰半導(dǎo)體，揭秘高端芯片替代歷程

潘彥廷博士鉆研光通信半導(dǎo)體激光器的設(shè)計(jì)開發(fā)領(lǐng)域20年，相關(guān)技術(shù)積累涵蓋半導(dǎo)體外延設(shè)計(jì)，工藝設(shè)計(jì)開發(fā)，高速芯片封測(cè)理論計(jì)算，擔(dān)任源杰半導(dǎo)體研發(fā)總負(fù)責(zé)人，投入光通信領(lǐng)域2.5G、10G、25G、50G及以上所需求的激光器產(chǎn)品開發(fā)。

1、從設(shè)計(jì)生產(chǎn)一直到流片能完成一個(gè)完整的芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)的企業(yè)有多少家這樣的企業(yè)?您認(rèn)為源杰區(qū)別于其他企業(yè)的生產(chǎn)模式在哪里?

【潘博士】國(guó)內(nèi)其實(shí)有幾間芯片制造企業(yè)也具備從外延、晶圓制造、芯片封測(cè)的垂直整合制造鏈，其中把控晶體外延的質(zhì)量相對(duì)關(guān)鍵，面對(duì)市場(chǎng)高速光芯片的需求要求提高，這對(duì)芯片廠的開發(fā)與交付能力都面臨考驗(yàn)，芯片企業(yè)要把這一塊做好實(shí)屬不易，能做到真正交付高端芯片的企業(yè)其實(shí)非常的少，這也是國(guó)內(nèi)具備垂直整合的芯片廠正在努力的方向。

源杰于公司成立之初，意識(shí)到晶體外延與扎實(shí)的晶圓工藝開發(fā)是國(guó)內(nèi)芯片廠需要努力積累的技術(shù)實(shí)力，因此前幾年均致力于基礎(chǔ)晶圓制造能力的打磨，從設(shè)備、人員、技術(shù)、制度等方面踏實(shí)的堆積經(jīng)驗(yàn)，以產(chǎn)品實(shí)力來(lái)達(dá)成客戶的認(rèn)可。

開發(fā)與制造周期非常重要。源杰確信能自主掌控從設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試等垂直制造鏈的IDM模式能高效的提升開發(fā)周期，生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)自主可控，因此源杰產(chǎn)品的芯片開發(fā)制造任一環(huán)節(jié)，不委托外廠設(shè)計(jì)制造，芯片中的每一個(gè)結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)、每一塊組份構(gòu)成，都是來(lái)自源杰的設(shè)計(jì)細(xì)胞與汗水的匠心。

2、在帶寬提升的浪潮之下，25G以上高速速率產(chǎn)品對(duì)外延的要求越發(fā)高。在芯片整個(gè)開發(fā)環(huán)節(jié)里，什么工藝最為關(guān)鍵?

【潘博士】 25Gbps以上的光芯片，講究的是高速設(shè)計(jì)與外延、晶圓工藝的結(jié)合實(shí)現(xiàn)，晶圓的外延工藝制造更是其中關(guān)鍵，這產(chǎn)品須在保證可靠性的前提下，將高速的性能體現(xiàn)出來(lái)，這一點(diǎn)其實(shí)相當(dāng)不易。一般高速光芯片的有源區(qū)使用的半導(dǎo)體易出現(xiàn)氧化的問(wèn)題，這對(duì)光芯片長(zhǎng)期工作的可靠性容易造成風(fēng)險(xiǎn)，源杰在晶體外延與晶圓工藝上進(jìn)行特殊的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)在保證可靠性的同時(shí)，芯片性能達(dá)到25Gbps以上的高速要求。

3、外延的難體現(xiàn)在哪里?我們賣的所有的芯片的內(nèi)部的外延結(jié)構(gòu)都是我們自己長(zhǎng)的對(duì)么?

【潘博士】外延技術(shù)的確為行業(yè)里面的關(guān)鍵點(diǎn)，它的難主要體現(xiàn)在通過(guò)金屬有機(jī)化合物氣相沉積系統(tǒng)(MOCVD)進(jìn)行精準(zhǔn)的半導(dǎo)體材料精準(zhǔn)堆疊控制，尤其在有源區(qū)中，常常要求多層堆疊的結(jié)構(gòu)每層厚度在10納米以下級(jí)別，這厚度已經(jīng)特別薄，要做到對(duì)這種厚度的均勻性精準(zhǔn)控制極具高難度，也是企業(yè)在對(duì)高速的芯片做外延時(shí)最容易遇到的工藝控制上的瓶頸。只要企業(yè)攻克這關(guān)就相對(duì)能靈活地開發(fā)各類的產(chǎn)品。

此外，芯片廠進(jìn)行外延開發(fā)是為了商用化的過(guò)程實(shí)現(xiàn)，這需花大量的時(shí)間對(duì)機(jī)臺(tái)的條件參數(shù)做調(diào)試。它是一個(gè)比較花時(shí)間的基本功，國(guó)內(nèi)企業(yè)開發(fā)高速產(chǎn)品時(shí)在這塊仍在做技術(shù)的積累與基本功的打磨，短期內(nèi)也形成部分芯片企業(yè)透過(guò)國(guó)外或是其他區(qū)域采購(gòu)?fù)庋悠�的方式，再繼續(xù)于廠內(nèi)進(jìn)行光刻晶圓工藝，利用工藝分區(qū)制作來(lái)制造產(chǎn)品，這部分也考驗(yàn)著多個(gè)生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)的交付周期與生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)把控。無(wú)論哪一種生產(chǎn)制造模式，目前國(guó)內(nèi)光芯片廠發(fā)展得很快，很多企業(yè)已經(jīng)漸漸能從低速的產(chǎn)品轉(zhuǎn)向高速的光芯片制作，源杰也致力于和國(guó)內(nèi)外的高速需求一起前進(jìn)，截至目前，源杰2.5G、10G、25G與50G以上全系列產(chǎn)品，都是在廠內(nèi)完成自主外延、制造與測(cè)試，自主可控性高，高速性能提升的50G DML工業(yè)級(jí)產(chǎn)品也將在今年年底陸續(xù)推出。

4、目前行業(yè)上芯片的開發(fā)周期普遍是多長(zhǎng)?相比于同行，源杰半導(dǎo)體的表現(xiàn)如何?

【潘博士】芯片的開發(fā)周期與企業(yè)原本具備的開發(fā)能力、產(chǎn)品規(guī)格需求等相關(guān)，同一產(chǎn)品的開發(fā)周期對(duì)不同企業(yè)是不同的，源杰在評(píng)估產(chǎn)品的需求與公司開發(fā)能力的匹配后進(jìn)行評(píng)審，然后通過(guò)立項(xiàng)開發(fā)、多次開發(fā)樣品迭代、廠內(nèi)性能與可靠性驗(yàn)證、送樣客戶端驗(yàn)證通過(guò)了才能算是 “可批量發(fā)貨”的產(chǎn)品。

整個(gè)產(chǎn)品從開發(fā)到客戶驗(yàn)證結(jié)束，基本上能耗費(fèi)一年半到兩年的時(shí)間方可實(shí)現(xiàn)批量發(fā)貨。這“一年半”還僅是從立項(xiàng)開始，就要跟客戶在性能指標(biāo)上進(jìn)行密切對(duì)接及對(duì)設(shè)計(jì)方案的定型，中間有任何一個(gè)環(huán)節(jié)出問(wèn)題都會(huì)導(dǎo)致研發(fā)周期的拉長(zhǎng)。

而在開發(fā)周期上，源杰具備一定的開發(fā)優(yōu)勢(shì)。源杰的產(chǎn)品開發(fā)擁有從設(shè)計(jì)、制造到測(cè)試驗(yàn)證的全程自主權(quán)限，開發(fā)時(shí)間相對(duì)具備一定的可支配性，設(shè)計(jì)迭代期間也容易借由數(shù)據(jù)的分析，在廠內(nèi)直接排查設(shè)計(jì)或是工藝造成的影響，對(duì)比于其他企業(yè)，源杰的一個(gè)樣品開發(fā)出來(lái)能得到的迭代信息量更大，利用廠內(nèi)資源將各環(huán)節(jié)的量化數(shù)據(jù)去定性設(shè)計(jì)下一輪迭代，用做對(duì)的事的原則來(lái)縮短開發(fā)過(guò)程的迭代次數(shù)。

5、目前光器件跟光模塊部署量最大的依然是100G，和中間過(guò)渡的200G光模塊， 但同時(shí)，主流的部分也已經(jīng)向400G靠攏了，我們的InP芯片的發(fā)展也遵循摩爾定律嗎?

(全球知名的半導(dǎo)體廠商英特爾在集成電路的浪潮下，提出了著名的“摩爾定律”：價(jià)格不變時(shí)，半導(dǎo)體芯片中可容納的元器件數(shù)目約每?jī)赡陼?huì)翻一倍，其性能也會(huì)同比提升。)

【潘博士】高速通信網(wǎng)路的速率迭代確實(shí)非常快，在數(shù)據(jù)中心要實(shí)現(xiàn)這樣的高速迭代，直接要求光芯片與電芯片在性能上翻倍其實(shí)不容易，因此在芯片端跟不上這翻倍的需求時(shí)，利用更換調(diào)制碼型或是增加通道數(shù)等方式緩解速率上的翻倍需求。

由于更換調(diào)制碼型、增加通道數(shù)，在體積、功耗、成本、封裝復(fù)雜度對(duì)光模塊都是要求，并非是一定的長(zhǎng)久方案，主要是借此提供一些開發(fā)時(shí)間等待光芯片與電芯片的高速性能提升，因此在這需求下，芯片端的壓力其實(shí)非常大，國(guó)內(nèi)外芯片廠也是前仆后繼在性能上竭力的提升，這壓力不比硅基的摩爾定律壓力小。

6、有這么多種基底可以選擇，咱們最后為什么選擇InP?

【潘博士】 我們?cè)诠饫w傳輸因?yàn)楣饫w材料的限制，所常用是具有低色散特性的1310nm波長(zhǎng)，及具有低損耗特性的1550nm的波長(zhǎng)。激光器能發(fā)射這類波長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料有限，一般常見的是銦鎵砷磷InGaAsP與鋁銦鎵砷AlInGaAs這兩類四元的三五族半導(dǎo)體材料最常見，要成長(zhǎng)這類半導(dǎo)體材料需選擇合適晶格匹配的襯底，這部分只有磷化銦InP這襯底材料的晶格常數(shù)能相對(duì)較為適配。

因此在距離相對(duì)較短的2km、10km的高速數(shù)據(jù)中心1310nm波段，可以看到高速DML產(chǎn)品，中長(zhǎng)距離40km、80km的高速EML，接入網(wǎng)的2.5G 1310/1490/1550nm、10G DML產(chǎn)品，4G LTE/5G無(wú)線產(chǎn)品 10G/25G DML產(chǎn)品、甚至到長(zhǎng)距離1000km以上相干領(lǐng)域所使用激光器，都是以InP為襯底的產(chǎn)品，應(yīng)用面非常廣。

7、咱們的產(chǎn)品與PIC光子集成有哪些相似之處?PIC的大規(guī)模使用對(duì)我們是否有沖擊?

【潘博士】 沒有沖擊，而是商務(wù)與技術(shù)開發(fā)的引領(lǐng)，PIC集成本為高速低成本的發(fā)展趨勢(shì)，源杰開發(fā)的激光器本身，也因應(yīng)InP系的PIC集成與Si系PIC集成方向發(fā)展，源杰的EML產(chǎn)品及屬于集成下的產(chǎn)品，在InP系的集成發(fā)展，能逐漸拓寬賽道，評(píng)估帶入更多的集成器件。

而Si系的PIC集成，硅基材料缺的是光源。

源杰已推出的25mW/50mW/70mW大功率激光器產(chǎn)品即為適配硅基光子集成所開發(fā)出的產(chǎn)品，在光集成電路的傳輸里我們可以提供這種光源，并能與之形成協(xié)同互助的效應(yīng)。

可以理解成激光器負(fù)責(zé)恒定發(fā)光，再把光耦合到硅基波導(dǎo)里面，利用硅基里面的無(wú)源光路進(jìn)行傳輸，利用硅鍺的調(diào)制器做光的切換調(diào)制，光芯片與硅芯片雙方以此合作關(guān)系相輔相成，由于硅基制作技術(shù)成熟，利用代工，讓商業(yè)量化集成的可實(shí)現(xiàn)性高。

8、相比同行咱們的產(chǎn)品有什么特點(diǎn)?市場(chǎng)表現(xiàn)如何?

【潘博士】目前源杰的2.5G/10G產(chǎn)品，例如：2.5G 1490nm、2.5G/10G 1270nm等波段的DML，具備一定的功率上的性能優(yōu)勢(shì)，在接入網(wǎng)受到客戶相對(duì)非常支持。25G WDM DML產(chǎn)品，在5G無(wú)線應(yīng)用也是首批支持三大電信運(yùn)營(yíng)商批量出貨的產(chǎn)品，受到客戶的肯定。

在數(shù)通領(lǐng)域的25G與50G PAM4 DML產(chǎn)品也廣泛國(guó)內(nèi)外客戶的批量采購(gòu)，這對(duì)國(guó)內(nèi)外廠商使用高速激光器產(chǎn)品提供了除了美日光芯片供應(yīng)商的另一個(gè)選擇。

9、目前在研發(fā)這些之中有沒有遇到對(duì)行業(yè)來(lái)講也都是比較難的瓶頸?又如何攻克?

【潘博士】為了提供高速通信領(lǐng)域的激光器，對(duì)DML高速性能的要求上，或是對(duì)EML這一類的集成產(chǎn)品已經(jīng)是行業(yè)中致力開發(fā)的重點(diǎn)。

如何在保證可靠性的前提下，實(shí)現(xiàn)商用化高速率的性能開發(fā)是非常不易的，攻克之路必須依賴扎實(shí)的工藝技術(shù)積累與設(shè)計(jì)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)迭代，而開發(fā)時(shí)間有限，必須精準(zhǔn)投入開發(fā)。源杰已在此開發(fā)的路上，并預(yù)計(jì)于明年第一季陸續(xù)推出更高速的50Gbps DML和EML產(chǎn)品供客戶體驗(yàn)。

10、限制產(chǎn)能的條件有哪些?

【潘博士】在國(guó)內(nèi)開發(fā)這些高速產(chǎn)品比較大問(wèn)題是高速產(chǎn)品的開發(fā)需要時(shí)間，其次是場(chǎng)地資源的限制。

源杰產(chǎn)能擴(kuò)張的計(jì)劃，預(yù)計(jì)于于2022年中，會(huì)在新址創(chuàng)新港建設(shè)好新廠房。在研發(fā)與生產(chǎn)線上的資源會(huì)有明顯的增加，此次擴(kuò)廠對(duì)于開發(fā)與生產(chǎn)更高速或是集成度更高的產(chǎn)品具有極高意義。

未來(lái)國(guó)內(nèi)的光芯片能力提升后，會(huì)出現(xiàn)來(lái)自國(guó)內(nèi)外對(duì)光芯片的需求，各類的高速光芯片、集成芯片等生產(chǎn)制造如果只有能力送樣，無(wú)能力生產(chǎn)，會(huì)形成光芯片廠的一大瓶頸，源杰相信自身的芯片實(shí)力能將高質(zhì)量的產(chǎn)品形象植入客戶心中，并借由擴(kuò)張產(chǎn)能，以持續(xù)穩(wěn)定供貨的交付能力贏得長(zhǎng)期合作的信賴。

11、陜西的光通訊產(chǎn)業(yè)鏈的市場(chǎng)前景如何?源杰會(huì)不會(huì)考慮開辟第二事業(yè)線?

【潘博士】光通訊的市場(chǎng)種類很多，相應(yīng)地各市場(chǎng)種類衍生的激光器也出現(xiàn)多樣化。

目前，源杰處于產(chǎn)能有限的束縛之下，對(duì)于產(chǎn)品的生產(chǎn)投入正謹(jǐn)慎進(jìn)行，未來(lái)在產(chǎn)能上有了擴(kuò)充，這些需求的空間會(huì)往光通信市場(chǎng)未來(lái)更高端的需求開發(fā)，這也是國(guó)內(nèi)光芯片廠與國(guó)外同時(shí)努力的方向，因此高速、高性價(jià)比的芯片會(huì)持續(xù)在光通訊市場(chǎng)形成需求的，如何穩(wěn)定良率與提高性能，是一直要持續(xù)的目標(biāo)。

第二事業(yè)線的想法對(duì)于所有有能力發(fā)展的光芯片廠是一定會(huì)出現(xiàn)的思考，源杰在光通信激光器領(lǐng)域上的技術(shù)積累，其實(shí)有利于水平或垂直延伸，但是擴(kuò)到每一塊都屬新的商業(yè)賽道，必須警慎選擇路標(biāo)，凡是有機(jī)會(huì)的領(lǐng)域，源杰都會(huì)思考在資源允許下提前布局，而目前的短期規(guī)劃仍是專心的做好激光器，在前進(jìn)的路上，也會(huì)有新的商業(yè)機(jī)會(huì)碰撞，源杰會(huì)視匹配度而拓展合適的商業(yè)版圖。

12、在會(huì)不會(huì)考慮在深圳擴(kuò)產(chǎn)芯片?

【潘博士】建廠會(huì)考慮當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)鏈上是否有合適的配套與產(chǎn)業(yè)價(jià)值，當(dāng)評(píng)估后大于原來(lái)的生產(chǎn)基地價(jià)值，才會(huì)考量他地設(shè)廠，畢竟場(chǎng)地分散也具備不同的資源成本付出。

對(duì)于源杰來(lái)講，我們前期在陜西打下了基礎(chǔ)，目前在陜西內(nèi)進(jìn)行產(chǎn)品之類的調(diào)運(yùn)更容易實(shí)現(xiàn)資源分配，其次是人員的成本和地的成本也因異地而造成成本的提升。在光通訊目前的商業(yè)環(huán)境考量下，這形成源杰本次的擴(kuò)廠先選擇在陜西內(nèi)建廠。

目前光芯片廠商主要集中在武漢光谷，越往南密集度越下降，難以形成規(guī)模效應(yīng)，配套措施和人員成本是兩大制約因素。建廠從投入到產(chǎn)出開始盈利需要幾年的周期，如果持續(xù)幾年的高支出，基本上新廠也不易支撐下來(lái)。

上游全覆蓋，深扎穩(wěn)打硅光時(shí)代

過(guò)去的二十年里，以太網(wǎng)技術(shù)已經(jīng)被廣泛用在了企業(yè)園區(qū)，家庭產(chǎn)業(yè)園及安防監(jiān)控等領(lǐng)域，未來(lái)更大帶寬，更低時(shí)延的以太網(wǎng)相關(guān)技術(shù)還將進(jìn)一步滲透到大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景，面對(duì)新的應(yīng)用，以太網(wǎng)的速率也在不斷增長(zhǎng)，從最初的10M，100M到最近標(biāo)準(zhǔn)化的400G，接口速率已經(jīng)翻了4萬(wàn)倍，這是個(gè)光通信產(chǎn)業(yè)鏈大可作為的時(shí)代。

通過(guò)與源杰半導(dǎo)體首席技術(shù)官潘彥廷博士的深入交流，了解到源杰半導(dǎo)體的整個(gè)產(chǎn)品線的維度也枝繁葉茂，除了傳統(tǒng)的DFB激光器芯片以外，已經(jīng)擴(kuò)展出另外兩條新的路線——EML和大功率硅光技術(shù)這兩條路線。

借助對(duì)工藝設(shè)備八年來(lái)的積累，在技術(shù)上，源杰半導(dǎo)體做到“有源區(qū)晶體外延/晶圓工藝/及芯片測(cè)試”等上游全覆蓋，完成“有源區(qū)外延工藝-光柵工藝-二次外延工藝-晶圓工藝-自動(dòng)化芯片測(cè)試-芯片高頻測(cè)試及可靠性測(cè)試”的技術(shù)垂直整合。

源杰的產(chǎn)品線已經(jīng)實(shí)現(xiàn)光通信激光器芯片低中高速產(chǎn)品2.5G、10 G、25G及以上DFB及EML激光器的 全系產(chǎn)品鋪設(shè)， 在短中長(zhǎng)波產(chǎn)品上涵蓋 1270～1570nm全波段DFB/EML激光器。

通過(guò)大量研發(fā)資金的投入，源杰對(duì)設(shè)備生產(chǎn)出產(chǎn)品工藝的各種參數(shù)進(jìn)行新摸索，加速新產(chǎn)品能力，憑借獨(dú)立自主的創(chuàng)新體系和大可作為的知識(shí)產(chǎn)權(quán)和生產(chǎn)設(shè)備，將產(chǎn)品落地與無(wú)線前傳、數(shù)據(jù)中心、及光纖入戶上。

公司引入先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)多系列多品種高速激光芯片的分產(chǎn)線化生產(chǎn)、 擴(kuò)大產(chǎn)線產(chǎn)能，同時(shí)提升產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性、優(yōu)化產(chǎn)品良率;此外，通過(guò)深化研發(fā)工作，開發(fā)新產(chǎn)品、新工藝，保持公司在光通信芯片行業(yè)先進(jìn)的技術(shù)水平及較高的產(chǎn)品良率，并促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的穩(wěn)步提升。

“國(guó)產(chǎn)替代”之大浪潮下，誰(shuí)在裸泳不重要，未來(lái)，源杰半導(dǎo)體繼續(xù)在硅光時(shí)代深扎穩(wěn)打，深耕芯片領(lǐng)域。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)